Microchip推碳化硅产品 强化高压电子设备

Microchip推碳化硅产品 强化高压电子设备

来源:中关村在线 作者:服务器租用 浏览量:199
2019-05-22
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近日,Microchip Technology(美国微芯科技公司)通过其子公司Microsemi(美高森美)宣布推出一系列SiC功率器件。该系列器件具有良好的耐用性,以及宽带隙技术优势。它们将与Microchip各类单片机和模拟解决方案形成优势互补,加入Microchip不断壮大的SiC产品组合,满足电动汽车和其他大功率应用领域迅速发展的市场需求。

Microchip宣布推出碳化硅(SiC)产品

据悉,服务器租用,Microchip的700V SiC MOSFET和700V、1200V SiC肖特基势垒二极管(SBD)将加入公司现有的SiC功率模块产品组合。该组合新增的超过35款分立器件产品均已实现量产,并通过了严格的耐用性测试,Microchip可提供全面的开发服务、工具和参考设计支持。Microchip目前提供额定电压、额定电流和各类封装的SiC裸片、分立器件和功率模块。

Microchip分立器件和功率产品管理事业部高级副总裁Rich Simoncic表示:“SiC技术的演变和应用已开始加速发展,Microchip深耕这一市场多年,一直致力于满足全球市场对SiC产品日益增长的需求,保持全球领先的位置。我们利用可靠的产品来构建产品组合,并提供强大的基础架构和供应链支持,directadmin授权,以满足客户执行和调整产品开发计划的需求。”

Microchip的SiC MOSFET和SBD可以更加高频高效地完成开关操作,并通过各级别的耐用性测试,这对于保障产品的长期可靠性至关重要。感应开关(UIS)耐用性测试(该项测试旨在衡量雪崩情形下,即电压峰值超过器件的击穿电压,器件的退化和过早失效性能)表明,Microchip SiC SBD性能比其他SiC二极管高出20%左右。

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此外,Microchip的SiC MOSFET在性能方面同样优于同类产品,其具有良好的栅氧化层防护能力和通道完整性,即使在经历10万次重复UIS(RUIS)测试后,其参数仍能维持在正常水平。

新型SiC器件将采用Microchip的客户为导向的产品淘汰机制,Microchip将根据客户需求来决定是否继续生产此类产品。

Microchip将为该SiC产品组合提供一系列支持,例如各类SiC SPICE模块、SiC驱动板参考设计和一套功率因数校正(PFC)Vienna整流器的参考设计等。Microchip的所有SiC产品及其相关配件均已实现量产。另外,还有针对SiC MOSFET和SiC二极管制定的各种裸片和封装方案可供客户选择。

【汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和功率密度的SiC功率产品。Microchip的产品(包括外部充电站、车内充电器、直流-直流变换器和动力系统/牵引力控制解决方案)能很好的满足电动汽车系统日益增多的需求。】

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